class-E相关论文
阐述基于Global Foundries 22FDX(22nm SOI)PDK技术,结合IoT应用的背景,设计了工作于2.4GHz的Class-E低压低功耗功率放大器.采用差......
We present and propose a complete and iterative integrated-circuit and electro-magnetic(EM) co-design methodology and pr......
基于0．18μm CMOS工艺．采用包含增益驱动级在内的两级电路结构。设计了一个工作频率为2．4GHz的E类开关模式功率放大器，并实现了全片集......
研制了2．14GHz频段横向扩散金属氧化物半导体（LDM0s）晶体管的高效率E类功率放大器。采用并联谐振法结合ADS软件仿真提取出管子的关键......
基于IBMSiGe0．13μm BiCMOS工艺，设计了一个工作在超过BVceo的SiGe HBTs classE功放，在产生高的输出功率的同时又保持了比较高的功率......
经皮能量传输系统（TETS）要求很高的能量传输效率,以减少因元件发热而烧热人体组织的可能性和提高系统的便携性。本研究提出一种基于E......
使用ADS（Advanced Design System）软件仿真设计了基于28-V MOSFET器件的VHF频段30 MHz～80MHz E类开关模式高效率功率放大器。输入端使......
介绍了设计的一个采用0．18μm的CMOS工艺的Class—E类的功率放大器。它可以提供最高为20dB的输出功率，以及输出功率在14．5dB的时候可......
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This paper presents a 1.8 GHz class-E controlled power amplifier (PA). The proposed power amplifier is designed with two......
随着生产过程自动化的提高,微电子设备如刻蚀机、溅射台和PECVD中急需计算机控制的大功率射频电源,它应具有体积小,频率稳定,功率......
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